編案：本中心四個技術團隊之一「奈米微影製程技術團隊」，主要提供客製化奈米製程的技術服務，從設計、黃光微影、電子束微影、蝕刻至後處理製程，由專業的工程師負責技術開發，並有專人負責「製程整合」，跨越單站設備與單站設備之間的鴻溝，可協助產學研各單位進行多樣化的元件製造。本團隊具有多年的元件製造經驗，開發各種製程間的整合，將各製程設備進行點、線、面的串聯，進行各式元件製造。本期電子報主要簡介此團隊的後處理製程─晶圓切割、超臨界乾燥與真空熱加壓，如表一。此製程服務每月均提供實作課程教學，使用者可自行調變參數以符合其元件製作的需求，亦可由資深工程師提供標準化與客製化的代工。

表一：本中心提供之後製程服務項目

晶圓切割服務是本團隊十分熱門之設備，除了一般常用的矽晶圓切割，亦可對易碎材料進行切割；Disco DAD-321切割機是日本Disco公司的產品，它在半導體晶圓及微機電系統製造完成過渡到電子構裝的過程當中扮演重要的角色，它可沿基板上元件及元件之間做精密切割，也可對矽基板進行試片、元件之精準切割。針對不同基板更提供玻璃、石英及高分子三種厚板的選擇，操作步驟相單簡便；在使用試片的限制方面：需預留1~2mm之切割空間，且不適用於水溶性材料，此外需給予機台校準參考線以供精準對位，對於基板上覆有易刮傷的薄膜與二維材料，本中心亦有相對應的保護方式。有關材質與刀具更進一步選擇之問題請詳洽楊穎枚資深工程師（ext.31380#305）。

TOUSIMIS的815B二氧化碳超臨界乾燥機（Supercritical CO2 Dry Release）操作簡便，可將經過濕製程的試件乾燥化，避免表面張力造成試件產生吸附現象而破壞了結構，對於懸浮薄膜與多孔材料的乾燥可維持其結構而不塌陷。本機台可依樣本大小放置不同大小的鐵氟龍O-Ring。O-Ring大小有4”、3”、2”、1.25”。本機器使用液態二氧化碳將甲醇（或其他揮發性溶劑）從系統腔體中置換移除，然後將液態二氧化碳加熱加壓至臨界點，使液態二氧化碳變為氣態。液態的二氧化碳具有非常低的表面張力，所以在進行相變化時不會使結構有吸附現象的發生，並且也能使得它能輕易流過複雜的幾何形狀和小的裂縫進行液體置換。有關更進一步的材質與操作問題請洽黃秋華資深工程師（ext.31380#306）。

真空熱加壓設備最早的用途為進行奈米壓印，由於其具有真空、加熱、加壓的功能，可提供更多不同的應用，本中心歡迎使用者開發其用途。本機台真空的部分可達10-3mba，由1000至10-3mbar < 3min，由真空至1 bar < 10 sec；加熱的部分上下加熱盤可達550℃，溫度勻性±1%，具有可分開獨立控制的上下加熱盤以補償模具與基材間不同熱膨脹係數造成之熱應力；加壓的部分可調整之下壓力達3500N (790 lbf)，精確度：35N Steps，最大電壓及電流分別可達到2000 V及50 Ma，詳細的適用參數請洽蔡姿婷工程師（ext.31380#213）。

♦ 機台規格：請詳見網頁（http://cmnst.ncku.edu.tw/files/11-1023-13238.php#12）

♦ 諮詢窗口：蔡姿婷工程師

♦ 儀器訓練課程：「晶圓切割機」、「二氧化碳超臨界乾燥機」、「奈米壓印-熱壓成型奈米轉印機」，每月開課，歡迎報名！