前瞻奈米製程-製程介紹與未來發展
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基本的半導體元件 ─ 電晶體,可以視為一顆水(電)龍頭,決定水(電)流的開或關(0或1)。開關愈多,計算能力愈強大。將愈多的開關,塞進愈小的晶片,就可以讓這些3C用品,不但愈來愈輕薄,速度還更快,功能更多。而這些開關要怎麼製做?那是經過重重的步驟以及測試來完成的,我們可以將半導體的建構過程,想像為建構房屋的經過:從買地、規劃設計、準備建材、施工到完成檢驗。首先我們買了一片矽晶圓(土地),接著我們用各式需要的原子或分子(建材),依光罩佈局(設計書),搭配微影製程(Photolithography)方法在矽晶圓上成長薄膜(蓋樓),再將不需要的部分蝕刻搬運(打牆裝潢),重複這樣加法與減法的步驟,架好電路管道,經過重重驗收,最後得到我們預期的設計。基本的微影製程流程如下圖。

目前微影技術已發展到元件線寬16奈米可量產(頭髮直徑約為60微米,是元件線寬的3750倍),如何在微影技術上更突破,做出更小線寬且良率與產能均可達到要求,是未來各國元件代工大廠要投資與研究的重要課題。
